聯(lián)發(fā)科技5G芯片不僅在終端低功耗技術(shù)和上行增強(qiáng)技術(shù)以及最高峰值速率方面具備優(yōu)勢(shì)，而且還是全球首個(gè)發(fā)布5G SoC芯片的廠商。

對(duì)于近期爭(zhēng)論許久的NSA和SA組網(wǎng)方式，由于中國(guó)移動(dòng)董事長(zhǎng)楊杰明確表示“明年1月1日開(kāi)始，5G手機(jī)必須具備SA模式，NSA的手機(jī)就不可以入網(wǎng)了。”引起了業(yè)界不小震動(dòng)。

因?yàn)槌巳A為之外，其他手機(jī)廠商均采用的高通X50基帶芯片，僅支持NSA模式。中國(guó)移動(dòng)的意外之舉讓芯片廠商有些措手不及，高通也加緊了下一代支持NSA/SA的X55發(fā)布節(jié)奏。

而此時(shí)聯(lián)發(fā)科技卻“意外壓對(duì)方向”。傅宜康透露，聯(lián)發(fā)科技在5G芯片初期規(guī)劃底層能力之時(shí)，就希望可以實(shí)現(xiàn)全球通用，因此考慮了支持NSA/SA組網(wǎng)模式。據(jù)了解，在4G發(fā)展初期2014年的時(shí)候，聯(lián)發(fā)科技就啟動(dòng)了5G方面的研究。

在5G芯片設(shè)計(jì)上，聯(lián)發(fā)科技對(duì)NSA和SA的上行開(kāi)發(fā)了覆蓋和速率的增強(qiáng)技術(shù)。聯(lián)發(fā)科技NSA模式的上行覆蓋提升技術(shù)可以帶來(lái)平均28%的上行速率提升；而聯(lián)發(fā)科技SA模式的上行覆蓋提升技術(shù)給UL上行控制信道預(yù)編碼技術(shù)帶來(lái)30%-60%覆蓋提升。40% UL高功率終端帶來(lái)40%上行覆蓋提升，約等效25%上行速率提升。

除了5G上行增強(qiáng)技術(shù)之外，在低功耗上一直是聯(lián)發(fā)科技的強(qiáng)項(xiàng)。由于更大的帶寬，更高的速率和更低時(shí)延，5G終端功耗高于4G。在終端電池容量依然有限的情況下，如何讓實(shí)現(xiàn)終端低功耗關(guān)乎著用戶的使用體驗(yàn)。

聯(lián)發(fā)科技以“無(wú)數(shù)據(jù)傳輸時(shí)盡可能避免不必要的功耗”的技術(shù)理念，研發(fā)出BWP方案，也就是帶寬分段的節(jié)電方案，通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)整終端帶寬，在保持傳輸性能同時(shí)最大化節(jié)電的效果，讓終端的電池真正做到物盡其用。

據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科技的這項(xiàng)BWP方案已經(jīng)被寫入了3GPP Rel-15的標(biāo)準(zhǔn)里面。

在速率方面，Helio M70具備業(yè)界最高Sub-6GHz 頻段傳輸規(guī)格4.7Gbps， 為目前業(yè)界最快實(shí)測(cè)速度，華為Balong 5000在Sub-6GHz頻段實(shí)現(xiàn)4.6Gbps，高通X50在Sub-6GHz頻段的速率是2.3Gbps。

而在5G芯片技術(shù)成熟度方面，“2019年IMT-2020(5G)峰會(huì)”上公布了目前5G芯片測(cè)試情況：海思、聯(lián)發(fā)科技支持SA/NSA網(wǎng)絡(luò)模式，海思完成了室內(nèi)和室外測(cè)試，聯(lián)發(fā)科技完成了室內(nèi)測(cè)試；高通完成NSA測(cè)試。

所以，聯(lián)發(fā)科技5G芯片不僅在終端低功耗技術(shù)和上行增強(qiáng)技術(shù)處于領(lǐng)先地位，而且在5G最高峰值速率方面也是最快的。

“可以說(shuō)，聯(lián)發(fā)科技的5G芯片技術(shù)不輸大家認(rèn)為的最強(qiáng)芯片。”傅宜康表示。

相比4G的稍稍落伍，聯(lián)發(fā)科技在5G方面先發(fā)制人，走在了5G領(lǐng)先行列。據(jù)透露，OV已經(jīng)開(kāi)始考慮聯(lián)發(fā)科技和三星5G基帶芯片。

此前消息稱聯(lián)發(fā)科技最新5G SOC單芯片采用了7納米制程，今年Q3向主要客戶送樣，首批搭載5G SOC的終端將于2020年一季度上市。